نیمه هادی چیست

تمام مواد با دو ویژگی فوق را می توان در محدوده مواد نیمه هادی طبقه بندی کرد. آنچه که منعکس کننده خواص اساسی ذاتی نیمه هادی ها است، اثرات و پدیده های فیزیکی ناشی از عوامل خارجی مختلف مانند نور، گرما، مغناطیس، الکتریسیته و غیره است که بر روی نیمه هادی ها اثر می گذارند که در مجموع می توان از آنها به عنوان خواص نیمه هادی مواد نیمه هادی یاد کرد. بیشتر مواد پایه دستگاه های الکترونیکی حالت جامد نیمه هادی ها هستند. این خواص نیمه هادی مختلف این مواد نیمه هادی است که به انواع مختلف دستگاه های نیمه هادی عملکردها و ویژگی های متفاوتی می دهد. مشخصه اصلی شیمیایی نیمه هادی ها وجود پیوندهای کووالانسی اشباع شده بین اتم ها است. به عنوان یک ویژگی پیوند کووالانسی معمولی، در ساختار شبکه چهار وجهی است، بنابراین مواد نیمه هادی معمولی دارای ساختار الماس یا مخلوط روی (ZnS) هستند. از آنجایی که بیشتر منابع معدنی زمین ترکیبات هستند، مواد نیمه رسانایی که برای اولین بار مورد استفاده قرار گرفتند، ترکیبات هستند. به عنوان مثال، گالن (PBS) مدت‌ها پیش برای تشخیص رادیویی استفاده می‌شد، اکسید مس (Cu2O) به عنوان یکسو کننده جامد، اسفالریت (ZnS) یک ماده درخشان جامد شناخته شده است، و عملکرد یکسوسازی و تشخیص کاربید سیلیکون. SIC) نیز در اوایل مورد استفاده قرار گرفت. سلنیوم (SE) اولین عنصر نیمه هادی کشف شده و مورد استفاده است که زمانی ماده مهمی برای یکسو کننده های حالت جامد و فتوسل ها بود. کشف تقویت عنصر نیمه هادی ژرمانیوم (GE) صفحه جدیدی را در تاریخ نیمه هادی ها باز کرد، که از آنجا دستگاه های الکترونیکی شروع به درک ترانزیستوریزاسیون کردند. تحقیق و تولید نیمه هادی ها در چین با اولین تهیه ژرمانیوم با خلوص بالا (99.999999% - 99.999999%) در سال 1957 آغاز شد. استفاده از سیلیکون نیمه هادی عنصری (SI) نه تنها باعث افزایش انواع و انواع ترانزیستورها و بهبود عملکرد آنها می شود. ، بلکه عصر مدارهای مجتمع در مقیاس بزرگ و بسیار بزرگ را آغاز می کند. کشف ترکیبات ⅲ - ⅴ که توسط گالیم آرسنید (GaAs) نشان داده شده است، توسعه سریع دستگاه‌های مایکروویو و دستگاه‌های الکترونیک نوری را ارتقا داده است.